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能顺手给岛国找点麻烦，韩元是绝对不会介意的。
单晶硅的冶炼，在目前的人类科技中，一般采用两种方法。
一种是坩埚直拉法。
另一种是无坩埚悬浮区熔法。
而这两种方法，都是岛国极其擅长的，其科技水平都是世界顶尖。
最关键的是，两种方法都需要单晶炉，这也是为什么岛国能将单晶炉卖的这么贵的原因。
在这一块，别说华国了，就是它爹米国都比不上。
毕竟单晶硅虽然重要，但对比起光刻机的关键技术来说，还是简单不少的。
单晶硅的制备，只需要实现从多晶到单晶的转变，即原子由液相的随机排列直接转变为有序阵列，由不对称结构转变为对称结构就可以了。
难点在于固液界面移动的硅晶会出现析晶问题。
而一旦出现析晶现象，会导致表面的单晶硅迅速被氧化变成二氧化硅。
除此之外，直拉单晶硅的石英坩埚在经过高温、冷却等等步骤之后，会产生裂纹或者破裂，导致无法再次使用。
并且，由于拉单晶对于坩埚的洁净度要求很高，所以使用过的坩埚无法保证洁净度，同时单晶硅对于坩埚的品质要求较高。
所以在制备石英坩埚这一块也是个难点。
不过这些东西，从今天起，都是过去式了。
你岛国的单晶硅和单晶炉卖的再便宜，别人也不会再要了。
和单晶炉直拉法比起来，‘化学气相沉积-硅核心外延法’简直有太多的优势了。
制备成本更低，生产出来的单晶硅程度更高，生产步骤中不需要有专人盯着等等等等。
这种降维级别的打击，就是这么致命。
将能够处理的材料都进行基础处理后，韩元又一次来到了无尘工作室。
不过和之前制备光刻机时不同，制备单晶硅要求的无尘环境要低好几个档次。
万级的无尘车间就足够了。
在化学实验室初步处理过的基础材料再度进行了深层次处理，韩元又检查了一遍需要使用的仪器和材料。
确认所有的东西都准备就绪后，韩元拉过拍摄镜头，道：“‘化学气相沉积-硅核心外延法’一共有七个步骤。”
“第一步：提供可供预处理的基底。”
“第二步：清洗。”
“第三步：提供可供单晶硅外延生长的腔体，腔体内设有基底储放装置，并将基底放置于基底储放装置上。”
“第四步：向制备仪器腔体内通入还原性气体，并将腔体内压强和温度调至制取时所需要的压强和温度。”
“第五步：向制备仪器腔体内通入气态硅源，在基底表面生成预设厚度的牺牲层。”
“第六步：控制时间，让单晶硅层在牺牲层上方形成。”
“第七步：将单晶硅层和牺牲层的连接体与基底分离。”
“七步程序，都可以使用计算机程序进行监控和控制，所（本章未完，请翻页）
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